РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА
ГЕНЕРАТОРЫ НА МИКРОСХЕМАХ - часть 7
Эта формула справедлива при условии, что характеристики полевых транзисторов близки друг другу. Для уменьшения нелинейных искажений генерируемых колебаний применяется ОС, осуществляемая через резисторы R3 — R6, которая выравнивает зависимость сопротивления полевого транзистора от напряжения в затворе Кроме того в схему введена еще одна цепь ООС, влияющая на форму колебаний. Эта связь выполнена на терморезисторе R8.
Рис. 9.27
Рис. 9.28 Рис. 9.29
С помощью полевых транзисторов можно перестраивать частоту генератора почти в 100 раз. Однако на краях диапазона наблюдается значительное искажение формы колебаний.
Двухтактный генератор. Генератор (рис. 9 29) собран по двухтактной схеме В коллекторы транзисторов включен колебательный контур. При заданной индуктивности частота выходного сигнала может меняться дискретно подключением конденсаторов. Резистор R1 позволяет точно настраиваться на фиксированные частоты Обратная связь осуществляется через резисторы R2 и R3. Амплитуду выходного сигнала можно регулировать с помощью резистора R8 Для установки частоты генератора с помощью С1, С2 можно пользоваться данными, приведенными в табл. 9.1.
Таблица 9.1
|
f, Гц |
700 |
900 |
1100 |
1300 |
1500 |
1700 |
|
С1, нФ |
60 |
60 |
60 |
4,5 |
2,25 |
1,5 |
|
С2, нФ |
200 |
160 |
110 |
70 |
50 |
40 |