Время заряда емкости определяется выражением t3=0,7 CRS, а время разряда tр=0,7 CRz. Эпюры напряжений в точках схемы показаны на рис. 10.2.
Для получения максимально возможного значения t, необходимо сопротивление резистора R3 выбирать большим. Поскольку ток затвора полевого транзистора меньше 10~8 А, то R3 может принимать значения десятков мегаом. Элементы с номиналами, указанными на схеме, позволяют получить период следования импульсов 1,4 с. Температурный дрейф составляет 0,6%/град.
Мостовой генератор. Генератор (рис. 10.3, с) имеет два выхода, где формируются сигналы различной полярности. В коллекторе транзистора VT1 формируется импульс отрицательной полярности, а в коллекторе транзистора VT2 — положительной. После включения питания оба транзистора находятся в закрытом состоянии. Начинается процесс заряда конденсаторов. Конденсатор С1 заряжается через резистор R1, а конденсатор С2 — через резистор R4. На базе транзистора VT1 увеличивается положительный потенциал. В то же время положительный потенциал базы транзистора VT2 уменьшается. Через время T1
= 0,7 C1R1
потенциалы на базах транзисторов сравняются. С этого момента оба транзистора начинают проводить. С открыванием транзистора VT1 конденсатор С2 начнет разряжаться через базовую цепь транзистора VT2 В это же время конденсатор С1 будет разряжаться через базовую цепь транзистора VT1. Оба транзистора окажутся в режиме насыщения. Напряжение на коллекторе транзистора VT1 изменится с 15 до 7,5 В, а на коллекторе транзистора VT2 — от 0 до 7,5 В В этом состоянии транзисторы будут находиться до тех пор, пока базовые токи способны обеспечить коллекторный ток 5 мА.