СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА
Vбэ макс, определяемые электрической прочностью
Значение Tкпмакс определяется физическими свойствами полупроводниковых материалов.
Максимально допустимые напряжения UКбмакс, Uкэ макс, Vбэ макс, определяемые электрической прочностью соответствующих переходов транзистора. Превышение этих величин приводит к росту тока и электрическому или тепловому пробою перехода Для ряда транзисторов указывается сопротивление между базой и эмиттером Квэ, при котором допустимо заданное напряжение Uкэмакc при- отсутствии запирающего смещения на базе. Для маломощных транзисторов Rбэ<10 кОм, а для мощных Rбэ=100 Ом.
Максимально допустимые значения токов 1К макс, la макс, Iб маке устанавливаются для того, чтобы в период эксплуатации не нарушался механизм движения носителей заряда в полупроводнике из-за плотности тока.
Максимальные значения токов, напряжений и мощности определяют границы области гарантированной надежности работы Работа в предельном режиме соответствует самой низкой надежности прибора, поэтому использование транзисторов в схемах в таком режиме не рекомендуется, а работа в совмещенных предельных режимах (например, по току и рассеиваемой мощности) вообще не допускается.
В импульсном (прерывистом) режиме работы допускается превышение предельных значений параметров непрерывного (длительного) режима, при этом указывается длительность импульса или скважность, при которых возможен такой форсированный режим.
Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий