СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА
В инверсном режиме меняются функции
В инверсном режиме меняются функции эмиттера и коллектора: к коллекторному переходу подключают прямое, а к эмиттерному — обратное напряжение. Однако такое включение транзистора неравноценно из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в его областях.
Принцип действия транзистора в активном режиме рассмотрим с помощью схемы с ОБ (см. рис. 53,а). При включении напряжений эмиттерного EЭб и коллекторного EКб источников изменяются потенциальные диаграммы переходов. Напряжение EЭб снижает потенциальный барьер эмиттерного перехода, вследствие чего через него из эмиттерной области яачнется инжекция дырок в базу, а электронов — наоборот, из базовой области в эмиттерную. Концентрация основных носителей в эмиттерной области на 2 — 3 порядка выше, чем в базе, поэтому инжекция дырок в базу Iэр превышает поток элек-. тронов Iэn из базы в эмиттер. При этом через эмиттерный переход проходит суммарный ток эмиттера Iэ=Iэр+Iэп. Убыль дырок в эмиттере компенсируется уходом из него во внешнюю цепь такого же количества электронов.
В результате повышенной концентрации дырок в базе происходит их диффузионное перемещение от эмиттерного к коллекторному переходу. На этом пути часть дырок рекомбинирует с электронами базы и создает в цепи базы небольшой рекомбинационный ток Iб. Чтобы уменьшить вероятность рекомбинации дырок в базе, толщину базы (w<0,25 мм) выбирают меньше их диффузионной длины дырок (для германия L=0,3-5-0,5 мм).
Транзисторы, в которых отсутствует электрическое поле в базе, а перемещение (дрейф) носителей тока происходит за счет диффузии, называют бездрейфовыми, транзисторы, в которых за счет неравномерной концентрации примесей в базе возникает электрическое поле и перемещение носителей тока через базу происходит под действием сил этого поля, — дрейфовыми.
К коллекторному переходу напряжение внешнего источника подключают в непроводящем (обратном) направлении. Электрическое поле, создаваемое этим источником, будет тормозящим для основных и ускоряющим для неосновных носителей тока.
Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий