Предельная частота коэффициента передачи тока

Высокочастотные свойства транзисторов характеризуются следующими частотными параметрами.

Предельная частота коэффициента передачи тока fh216 или fа для схемы с ОБ и fh21э или fр — для схемы с ОЭ — это частота, на которой модуль коэффициента передачи тока уменьшается в \/2 раз, т. е. до 0,7 своего значения на низкой частотте. В схеме с ОЭ h21Э<h21б. Предельная частота непосредственно не определяет частотный предел использования транзистора, а ограничивает ту область частот, в пределах которой можно пренебречь частотной зависимостью параметров.

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр — частота, на которой модуль коэффициента передачи тока транзистора, включенного по схеме с ОЭ, равен единице. Для любой частоты диапазона от 0,1 fгр до fгр модуль коэффициента передачи тока изменяется вдвое при изменении частоты в 2 раза. Модуль коэффициента передачи тока |A218|=frp/f. Предельная и граничная частота связаны соотношениями: fh21Э=fh216/h21Э; fh216=h21Эfh21Э; fгр=0,8 fh21б.

Максимальная частота генерации fмакс (МГц) — наибольшая частота, на которой транзистор способен генерировать колебания в схеме автогенератора при, оптимальной обратной связи:

где r6 — сопротивление базц. Ом; Ск — емкость коллектора, пФ.

Параметры в режиме большого сигнала характеризуют работу транзисторов в режимах, при которых токи и напряжения между выводами транзистора меняются в широких пределах. Эти параметры используют для оценки режима работы транзистора в мощных каскадах усилителей, автогенераторах, импульсных схемах. К параметрам в режиме большого сигнала относят следующие

Статический коэффициент передачи тока h213 (или 5Ст) определяется как отношение постоянного тока коллектора к току базы (h21э=:Iк/Iб) при заданном напряжении Uкэ.

Напряжение насыщения база — эмиттер Uбэн и коллектор — эмиттер Uкан. В режиме насыщения оба р-га-перехода транзистора находятся в проводящем состоянии. В этом режиме базовая область получает дополнительный заряд,-создаваемый подвижными носителями. .В режиме насыщения при включении и выключении транзистора необходимо дополнительное время для накопления и рассасывания избыточного заряда, что снижает скорость переключения.

Содержание Назад Вперед

Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий