СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА


         

в цепи затвора при заданном




Рис. 71. Структура полевого МДП-транзистора с встроен­ным каналом

Ток утечки затвора IЗ.ут — ток в цепи затвора при заданном напряжении. Полевые транзисторы с управляющим р-я-переходом обычно имеют ток IЗ.ут, равный нескольким наноамперам, а с изо­лированным затвором — нескольким пикоамперам. Ток утечки затвора является неуправляемым током, который растет с увели­чением температуры. Чем меньше этот ток, тем лучше качество транзистора.

Начальный ток стока Iс.нач, — ток в цепи стока при заданном напряжении на стоке и напряжении на затворе, равном нулю

Напряжение отсечки Uзи.0тс — напряжение на затворе при ко­тором ток в цепи стока достигает заданного низкого значения (тран­зистор закрывается). В полевых транзисторах с индуцированным каналом ток в цепи стока появляется лишь при образовании кана­ла при некотором пороговом напряжении на затворе UПОР

Параметрами режима малого сигнала являются следующие

Статическая крутизна S характеристики прямой передачи тока определяемая как отношение изменения тока в цепи стока к выз­вавшему его изменению напряжения на затворе S=ДIc/ДU3 при

Обычно S=0,5+5 мА/В. Статический коэффициент усиления по напряжению ц=ДUс/ДUз ~ 25-100.

Выходное сопротивление Rвых=AUc/ДIc при U3=const, которое достигает десятков или сотен килоомов

Входное сопротивление RВХ=ДU3/ДI3 при Uc=const, которое достигает нескольких мегаомов и является преимуществом полевых транзисторов перед биполярными. В основном входное сопротивле­ние определяется сопротивлением p-n-перехода, находящегося под постоянным обратным напряжением, при котором очень мал обрат­ный ток затвора.

Входная емкость Сзи и проходная Ссз емкость — емкости между затвором и истоком и стоком и затвором (обычно несколько пикофарад). Проходная емкость представляет собой часть барьерной ем­кости р-л-перехода (затвора).

Частотными параметрами полевых транзисторов является ъра* ничная частота fг — частота, при которой коэффициент усиления по мощности усилительного каскада превышает единицу и опреде­ляется крутизной и выходной емкостью транзистора


Содержание  Назад  Вперед