СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА


         

При монтаже транзисторов необходимо соблюдать


При монтаже транзисторов необходимо соблюдать следующие правила

Крепление транзисторов производят за корпус. Изгиб внешних выводов выполняют не ближе 10 мм от проходного изолятора (ес­ли нет других указаний), изгиб жестких выводов мощных транзи­сторов запрещается.

Пайку выводов осуществляют не ближе 10 мм от корпуса при­бора. При этом мощность паяльника должна быть не более 60 Вт, время пайки — не более 3 с, а температура — не выше 200 °С. В процессе монтажа необходимо исключить прохождение тока че­рез транзистор и обеспечить надежный теплоотвод.

Таблица 108

Частота транзи­стора, МГц

Второй элемент обозначения транзисторов при мощности рассеивания, Вт

германиевых

кремниевых

до 0,25 (малая)

более 0,25 (большая)

до 0,25 (малая)

более 0,25 (большая)

Низкая (до 5)

1 — 99

201 — 299

101 — 199

301 — 399

Высокая (более 5)

401 — 499

601 — 699

501 — 599

701 — 799

Транзисторы нельзя располагать вблизи тепловыделяющих эле-ментов (сетевых трансформаторов, мощных резисторов), а также в сильных электромагнитных полях.

При эксплуатации транзисторов надо выполнять следующие правила.

Полярность напряжения внешнего источника питания, подклю­чаемого к электродам транзистора, следует выбирать с учетом струк­туры транзистора и его рабочей схемы. При подключении транзи­стора к источнику питания первым присоединяют вывод базы, по­следним — вывод коллектора, а при отключении — в обратном по­рядке. Запрещается подавать напряжение на транзистор с отклю­ченной базой.

Для увеличения надежности и долговечности приборов рабочие надряжечия, гоки, мощность и температуру необходимо выбирать меньше предельно допустимых (около 0,7 их значений). Не разре­шается использовать транзисторы в совмещенных предельных ре­жимах хотя бы по двум параметрам (например, по току и напря­жению).

С целью защиты транзисторов от перенапряжений в их схемы включают стабилизирующие, демпфирующие и ограничивающие ди­оды.

Недопустима проверка схем на полупроводниковых приборах омметрами или другими приборами, могущими создавать перегруз­ки для диодов, транзисторов.



Содержание  Назад  Вперед