СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА


         

Емкость коллекторного перехода, пФ, при


Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКб=5 В и f=10 МГц............. 10

Ток коллектора, мА: постоянный .............. 10

импульсный............. . 50.

Среднее значение тока эмиттера в импульсном ре­жиме, мА................. 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 °С ......... V . . 150

* Для транзисторов КТ203А — К.Т203В напряжение ukq соответст-венно равно 50, 30 в 15 В,

Высокочастотные. Конверсионные транзисторы р-n-р ГТ321

(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 °С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 112.



Рис. 59. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а - ГТ321. б — ГТ322, в - ГТ323

Таблица 112

Параметры

Типы транзисторов

ГТ321А

ГТ321Б

ГТ321В

ГТ321Г

ГТ321Д

ГТ321Е

Статический ко­эффициент пет редачи тока при Uкэ=3 В и I, = 500 мА

20 — 60

40 — 120

80 — 200

20 — 60

40 — 120

80 — 200

Модуль коэффи­циента передачи тока при I8= 15 мА, Uк = 10 В и f = 20 МГц

3

8

3

3

3

3

Емкость перехода пФ: коллекторно­го, при UKa= — 10 В и f=5 МГц

80

80

80

80

80

80

эмиттерного при Uэб= — 0,5 В

600

600

600

600

600

600

Постоянная вре­мени цепи обратной связи, пс, при ин= 10 В, Iэ= 15 мА и f= 5 МГц

600

600

600

600

600

600

.Напряжение на коллекторе, В, при котором на­ступает перево­рот фазы базо­вого тока при Iэн=700 мА и Tк<450С

40

40

40

30

30

30

Обратный ток коллектора, мкА, при UK= — 30 В, Tк=20°С............. . . . . 100

Начальный ток коллектора, мА, при R6=100 Ом и предельном напряжении UKa........ 0,8

Напряжение в режиме насыщения, В:

Uкэ при Iк=700 мА........... 2,5

Uбэ при I„=700 мА*.......... 1,3

Импульсный ток коллектора, А, при тимп=30 мкс и температуре 45 °С............ 2

Ток базы, мА.............. 30

Импульсный ток базы, мА, при тимп=30 мкс . . 500


Содержание  Назад  Вперед