Импульсные диоды пригодны к работе в быстродействующих импульсных схемах с очень малым (менее 1 икс) временем переключения их из проводящего в непроводящее состояние Время переключения этих диодов в основном определяется временем накопления в базе и экстракции неосновных носителей заряда За счет уменьшения площади р-л-перехода обеспечивается малая емкость диодов.
Рис 42 Схема включения импульсного диода (а), эпюры приложенного импульсного напряжения (б), тока (в) и процессы в базе (г)
Свойства импульсных диодов оценивают теми же характеристиками и параметрами, что и у выпрямительных диодов. Импульсные свойства диодов дополнительно характеризуются величиной заряда
Переключения Qn или временем восстановления. Заряд переключения нормируется при заданном прямом и обратном напряжении. Он представляет собой полный электрический заряд, переносимый во внешнюю цепь обратным током диода после его переключения с прямого тока на импульсное обратное напряжение.
Рис. 43 Общий вид и габаритные размеры импульсных диодов (а — г)
Под воздействием прямого входного напряжения UBX пр (рис 42, а, б) через диод проходит прямой ток IПр
(рис. 42, в), который определяется как прямым напряжением UПр, так и сопротивлениями прямосмещенного перехода гпр и нагрузки RH (см. рис. 42, а). В момент времени to (см. рис. 42, б) меняется полярность приложенного напряжения на обратное U0бр и, вследствие чего изменяется на обратное и направление тока (рис. 42, в). Однако накопившиеся в базе неосновные носители некоторое время удерживают переход под прямым смещением, в результате чего сопротивление перехода остается небольшим и через диод проходит относительно большой обратный ток IОбр и, превышающий обратный ток установившегося режима Iо (Iобр и > Iо). Сила этого тока определяется значением обратного напряжения U0бр и и сопротивлением нагрузки RH. В интервале времени рассасывания tp происходит экстракция дырок из базы в змиттерную область р и одновременно их частичная рекомбинация.