СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА


         

Полевые транзисторы


В полевых или униполярных транзисторах ток переносится но­сителями лишь одного знака — электронами или дырками — основ­ными для данного полупроводника. Различают полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом и транзисторы с изолированным за­твором с встроенным или индуцированным каналом.

Рис. 70. Схема включения по­левого транзистора

Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом (рис. 70) представляет собой кристалл полупроводника ПК электронной про­водимости (n-типа) с двумя внешними токоотводами — истоком И и стоком С, через которые проходит ток, создаваемый основными носителями заряда. Между внешними токоотводами подключены нагрузка RH и источник постоянного Напряжения £с. Токоотвод И, через который в кристалл входят основные носители заряда, назы­вают истоком, а токоотвод С, через который заряды выходят во внешнюю цепь, — стоком.

В основном кристалле полупроводника создана область проти­воположного типа проводимости — дырочной (р-типа), которая вы­полняет функции управляющего электрода и называется затвором 3. Между затвором и основным кристаллом возникает р-n-переход, а в самом кристалле создается уз­кий, канал К. (n-типа) для дви­жения основных носителей заря­да — электронов. Сечение канала зависит от напряжения на затворе. Обычно к затвору подводится по­стоянное обратное напряжение смещения Е3 (минус подключен к р-, а плюс — к n-области). Меж­ду затвором и истоком подключа­ют источник переменного напря­жения сигнала Ucmsinwt, которое требуется усилить.

При отсутствии сигнала на входе основные носители заряда — электроны под действием ускоряю­щего поля дрейфуют в канале от истока к стоку, создавая ток в кристалле. Этот ток определяет-ся напряжением стока и сопротивлением канала, зависящим от его сечения.

Если одновременно с напряжением смещения Еэ в цепь затво­ра подается переменное напряжение сигнала, результирующий по­тенциал на р-я-переходе изменяется U3= — Ea+Ucm sin wt.

Содержание  Назад  Вперед