СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА

       

Полупроводниковые материалы


Полупроводниковыми материалами являются твердые кристал­лические вещества с электронной проводимостью, которые по удель­ному электрическому сопротивлению при нормальной температуре занимают промежуточное положение между проводниками (метал-дами) и диэлектриками (изоляторами) (табл. 8).

Таблица 8

Материал

Удельное элект­рическое сопро­тивление, Ом-м

Температурный коэффициент сопротивления ар

Проводимость



Проводники

10-8 — 10-5

Положительный

Электронная

Полупроводники

10-8 — 10+8

Отрицательный

»

Диэлектрики

10-11 — 10+17

»

Ионная и элек­тронная

Электропроводность полупроводников в значительной степени зависит от внешних энергетических воздействий, а также от при­сутствия различных примесей в структуре полупроводника.

Полупроводниковые материалы подразделяют на простые полу­проводники, полупроводниковые химические соединения и много­фазные полупроводниковые материалы. К простым полупро­водникам относят германий, кремний, селен и другие элементы, основные параметры которых: приведены в табл. 9.

Таблица 9

Параметры

Германий

Кремний

Селен

Плотность при 20 °С, Мг/м3

5,3

2,3

4,8

Удельное сопротивление при 20 °С, Ом-м

0,68

2-103

Работа выхода электронов, эВ

4,8

4,3

2,85

Объемная плотность (кон­центрация) носителей, м~3

2,5-1019

1016

 —

Подвижность электронов, м2/(В-с)

0,39

0,14

Подвижность дырок, м2/(В-с)

0,19

0,05

0,2*10-4

Первый ионизационный по­тенциал, В

8,1

8,14

9,75

Диэлектрическая проницае­мость

16

12,5

- 6,3

Постоянная решетки, нм

0,566

0,542

0,436

Температура плавления, °С Теплота плавления, Дж/кг

936 4,1*106

1414 1,6*106

220 6,4*104

Температурный коэффици­ент линейного расширения (0 — 100°С)аг10-в, К-1

6

4,2

2,5

Удельная теплопроводность, Вт/ (м- К)

55

80

3

Удельная теплоемкость (0-100°С), Дж/(кг-К)

333

710

330


Полупроводниковые химические соединения, соответствующие общим формулам, составлены из элементов раз­личных групп таблицы Д. И. Менделеева, например: (А В — SiC; AIIIBV — GaAs; InSb; AIIBVI — CdS; SnSe), а также из некото­рых оксидов (например, Cu2O) и веществ сложного состава.

Многофазными полупроводниковыми являются материалы с полупроводящей или проводящей фазой из карбида кремния, графита и других элементов, сцепленных керамической или иной связкой.

В пределах одного полупроводникового изделия создаются об­ласти электронной n (от лат. negative — отрицательный) и дырочной р (от лат. positive — положительный) проводимостей. На границе раздела р- и n-областей возникает запирающий слой, который обусловливает выпрямительный эффект для переменного тока. Это свой­ство электронно-дырочного перехода (р-л-перехода) лежит в основе работы выпрямительных диодов. Создавая в структуре полупровод­ника два и более взаимно связанных p-n-перехода, можно получить более сложные управляемые полупроводниковые приборы — транзис­торы, используемые для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.

Электропроводностью полупроводников можно управлять с по­мощью тепла, света, электрического поля или механических усилий, на чем основана соответственно работа терморезисторов, фоторези­сторов, варисторов, тензорезисторов.

Полупроводниковые системы лежат в основе интегральных мик­росхем (ИМС — микроэлектронных устройств), в которых активные (диоды, транзисторы) и пассивные (резисторы, конденсаторы) эле­менты, а также межэлементные соединения создаются в едином тех­нологическом процессе с использованием групповых методов изготов­ления элементов и соединяющих проводников. Элементы ИМС не имеют внешних выводов корпуса и не могут рассматриваться как отдельные изделия. Плотность монтажа элементов в ИМС может достигать сотен — тысяч в 1 см3. »

Благодаря применению ИМС в радиоэлектронной аппаратуре снижается количество соединений, а аппаратура становится более компактной и экономичной, повышается ее надежность и улучшаются рабочие характеристики.


Содержание раздела