СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА


         

Туннельные и обращенные диоды


Туннельные диоды обладают высоколегированными p-n-областями полупроводника. Концентрация легирующих примесей в областях на 2 — 3 порядка выше, чем в обычных диодах. Высокая концентрация примесей приводит к вырождению полупроводника в полуметалл и перекрытию энергетических зон (зоны проводимости полупроводника типа n с валентной зоной полупроводника типа р) и возникновению высокой (порядка 105 — 10е В/см) напряженности поля в уаком (около 0,01 мкм) переходе. При такой напряженности поля в зоне перекрытия возникает туннельный механизм проводи­мости электронов через потенциальный барьер, т. е. движение элек-тронов через барьер высотой, превышающей энергию электрона.

Туннельные диоды обладают высоким быстродействием, что спо­собствует их использованию в схемах переключателей, усилителей и генераторов колебаний высоких частот.

Статическая ВАХ диода (рис. 47, а) в области малых прямых напряжений имеет падающий участок АБ с отрицательным диффе­ренциальным сопротивлением, который используется для режимов усиления и генерирования колебаний.

Рис 47 Вольтамперная характеристика (а) и эквивалентная схема туннельного диода (б) и ВАХ обращенного диода (в)

Параметры туннельных диодов делят на три группы. В первую группу входят параметры, определяющие режим работы диода:

пиковый (максимальный) ток Iп и ток впадины Iв (минимальный ток) прямой туннельной ветви ВАХ;

напряжения Ua и Uв, соответствующие точкам максимума и ми­нимума характеристики;

отношение пикового тока Iп к току впадины IВ, характеризую­щее протяженность падающего участка вдоль оси токов;

напряжение раствора UР на инжекционной ветви, соответству­ющее пиковому току в точке максимума;

отрицательное сопротивление — дифференциальное сопротивле­ние Гдиф на падающем участке ВАХ.

Во вторую группу входят параметры, характеризующие частот-ные свойства диодов:

проходная емкость Сд — суммарная емкость перехода и корпуса при заданием напряжении смещения;

индуктивность Lд обусловленная выводами и деталями кор­пуса прибора;



Содержание  Назад  Вперед